Micron Kembangkan NAND G11 dengan Lebih dari 400 Lapisan untuk SSD Mendatang

Perkembangan teknologi penyimpanan data kembali mencatat kemajuan setelah Micron Technology mengungkap rencana pengembangan NAND G11 dengan struktur lebih dari 400 lapisan. Inovasi yang dipaparkan dalam webinar teknologi perusahaan pada 21 Oktober 2026 ini ditujukan untuk meningkatkan kepadatan penyimpanan, kecepatan transfer, dan efisiensi energi pada generasi SSD mendatang. Dibandingkan NAND G9 yang menggunakan 276 lapisan, G11 menargetkan kepadatan bit sekitar dua kali lebih tinggi serta peningkatan kecepatan antarmuka hingga 50 persen. Micron juga memperkenalkan pendekatan wafer-on-wafer bonding sebagai bagian penting pengembangannya, dengan peningkatan produksi yang direncanakan mulai berlangsung pada paruh kedua 2027.

Micron Memperkenalkan Generasi Baru NAND dengan Lebih dari 400 Lapisan

Perusahaan semikonduktor Micron memaparkan strategi inovasi generasi mendatang melalui pengenalan NAND G11. Teknologi ini dirancang menggunakan lebih dari 400 lapisan untuk meningkatkan kapasitas penyimpanan dalam ruang fisik yang relatif kecil. Pada pemaparan roadmap tersebut, Micron menegaskan pentingnya pengembangan NAND untuk mendukung pertumbuhan pusat data. Pendekatan teknologi tersebut menjadi fondasi pengembangan SSD generasi baru yang menuntut kapasitas semakin besar.

Perubahan penting dalam roadmap Micron adalah keputusan melewati penamaan generasi G10. Arsitektur memori flash G9 menggunakan susunan vertikal sebanyak 276 lapisan, sedangkan G11 menghadirkan rancangan dengan jumlah lapisan lebih tinggi. Menurut pemaparan perusahaan, strategi teknologi NAND terbaru dioptimalkan untuk penyimpanan berbasis kecerdasan buatan. Kendati spesifikasi awal terlihat menjanjikan, G11 masih memerlukan proses penyempurnaan sebelum dipasarkan. Dengan demikian, sasaran peningkatan teknis sebaiknya dilihat sebagai proyeksi kemampuan generasi baru.

Teknologi NAND G11 Menawarkan Kepadatan Penyimpanan Dua Kali Lebih Tinggi

Salah satu peningkatan utama NAND G11 adalah kepadatan bit sekitar dua kali lipat dibandingkan G9. Menurut target Micron, kepadatan NAND G11 diproyeksikan mencapai sekitar 42 Gb per milimeter persegi. Perubahan arsitektur tersebut mendukung penyimpanan informasi yang lebih padat tanpa harus memperbesar area chip secara sebanding. Pada sektor memori flash, kemampuan menyimpan lebih banyak bit dapat memberikan fleksibilitas dalam merancang SSD. Namun, ukuran penyimpanan produk komersial juga dipengaruhi rancangan keseluruhan media penyimpanan.

Selain meningkatkan kepadatan, Micron juga merancang jalur komunikasi NAND dengan performa lebih tinggi. Terhadap teknologi NAND generasi kesembilan, G11 dirancang memiliki kemampuan antarmuka sekitar satu setengah kali lebih cepat. Peningkatan tersebut berpotensi mempercepat pertukaran data antara NAND dan pengendali. Walaupun target performanya menarik, kemampuan chip flash tidak otomatis menentukan hasil benchmark SSD. Faktor seperti pengendali SSD, pengelolaan cache dan penjadwalan operasi tetap mempengaruhi performa akhir.

Micron Menggunakan Penyatuan Wafer untuk Mengembangkan Memori Flash

Sebagai bagian dari strategi pengembangannya, Micron menggunakan pendekatan penggabungan wafer semikonduktor. Teknik manufaktur canggih ini memberikan kesempatan mengembangkan bagian memori dan logika pada wafer berbeda. Ketika kedua bagian telah melalui proses fabrikasi, wafer disejajarkan dan disatukan melalui proses bonding. Pendekatan tersebut memungkinkan pemilihan proses manufaktur yang lebih sesuai. Berkat pemisahan proses ini, sel memori dapat difokuskan pada kepadatan, sementara rangkaian periferal dikembangkan untuk kinerja.

Meski menawarkan keuntungan teknis, wafer-on-wafer bonding juga memerlukan pengendalian proses fabrikasi yang presisi. Ketidaktepatan dalam penggabungan wafer dapat berdampak pada tingkat keberhasilan fabrikasi. Dengan mempertimbangkan tantangan ini, kesiapan manufaktur berkapasitas besar menjadi salah satu penentu penerapan teknologi baru. Dalam pemaparan teknologinya, Micron menjelaskan bahwa, pemanfaatan metode fabrikasi baru dilakukan ketika keuntungan performa dan biaya dipandang relevan. Pendekatan tersebut menunjukkan bahwa kemajuan semikonduktor penyimpanan tidak hanya bergantung pada jumlah lapisan, tetapi juga membutuhkan penyempurnaan arsitektur chip.

Keunggulan Memori Flash Generasi Baru untuk Infrastruktur Digital

Tidak terbatas pada pengembangan performa, optimalisasi konsumsi energi menjadi sasaran tambahan dalam penyempurnaan arsitektur penyimpanan Micron. Berdasarkan sasaran pengembangan, pengurangan konsumsi energi per bit yang ditransfer di atas 25 persen dibandingkan teknologi G9. Rencana penghematan energi itu dapat membantu sistem penyimpanan berkapasitas besar yang memproses lalu lintas data secara berkelanjutan. Dalam lingkungan server yang padat, penghematan energi pada komponen dapat mendukung pengelolaan konsumsi listrik. Meski demikian, target tersebut mengacu pada efisiensi pemindahan informasi, bukan angka penurunan konsumsi seluruh sistem.

Dalam penggunaan sehari-hari, penghematan energi dalam memori flash juga memiliki nilai tambah bagi rancangan sistem. SSD dengan konsumsi energi lebih terkendali mungkin mendukung efisiensi penggunaan energi ketika melakukan aktivitas penyimpanan intensif. Walaupun demikian, konsumsi daya sistem komputer tetap bergantung pada desain keseluruhan perangkat. Pengendali penyimpanan, pengaturan operasi dan manajemen energi juga menentukan hasil penggunaan nyata. Karena itu, hasil benchmark perangkat nyata masih dibutuhkan sebelum manfaat efisiensi dapat dinilai secara menyeluruh.

Teknologi Penyimpanan G11 Mendukung Perkembangan Infrastruktur AI

Pertumbuhan teknologi kecerdasan buatan mendorong kebutuhan penyimpanan lebih besar. Infrastruktur kecerdasan buatan sering menggunakan kumpulan data berukuran besar untuk pembelajaran sistem kecerdasan buatan maupun pelaksanaan model yang telah dilatih. Pada infrastruktur seperti ini, NAND G11 berpotensi mendukung SSD berkapasitas besar. Kemampuan menyimpan lebih banyak data per luas chip dapat membantu meningkatkan kapasitas perangkat. Sementara itu, kemampuan transfer internal yang lebih cepat berpotensi membantu memenuhi beban kerja tertentu, terutama apabila dikombinasikan dengan pengendali yang sesuai.

Perusahaan turut memperkenalkan rancangan penyimpanan yang dioptimalkan untuk kecerdasan buatan. Salah satu pendekatan pengembangannya adalah perangkat storage untuk menangani banyak permintaan akses melalui ukuran blok data yang lebih kecil. Pendekatan lainnya berfokus pada peningkatan bandwidth penyimpanan. Variasi permintaan sistem AI mendorong optimalisasi penyimpanan berdasarkan penggunaan. Namun, memori flash tetap memiliki karakteristik berbeda dari memori kerja. Setiap jenis memori menempati peran berbeda dalam sistem, sehingga pengelolaan hierarki memori tetap memegang peranan utama.

Kesimpulan: NAND G11 Menjadi Langkah Penting Masa Depan SSD

Pengembangan NAND G11 oleh Micron menjadi langkah penting dalam industri penyimpanan data. Berkat arsitektur memori bertingkat tinggi, teknologi tersebut dirancang menghadirkan kemampuan penyimpanan jauh lebih padat dibandingkan teknologi sebelumnya. Target antarmuka yang lebih cepat hingga 1,5 kali lipat serta pengurangan energi transfer lebih dari 25 persen memperlihatkan potensi manfaat. Tahapan manufaktur G11 dijadwalkan meningkat pada paruh kedua 2027, sehingga kemampuan nyata tetap membutuhkan pengujian lanjutan. Bagi pelaku pengembangan pusat data, inovasi ini membuka peluang penyimpanan lebih padat dan efisien. Menurut Anda, apakah efisiensi energi media penyimpanan akan lebih dibutuhkan dalam perkembangan teknologi AI pada beberapa tahun mendatang?